HgCdTe 是结晶在闪锌矿中的伪二元合金半导体。由于其带隙可以随x 调整，所以，Hg1-x Cd x Te 已成为整个红外光谱范围探测器应用中最重要/通用的材料，随着碲( Cd) 成分增加，Hg1-x Cd x Te 能隙逐渐从HgTe 的负值增大到CdTe 的正值。带隙能量调整使红外探测器能够应用于短波红外(SWIR: 1 - 3μm) 、中波红外(MWIR: 3 - 5μm) 、长波红外(LWIR: 8-14μm) 及甚长波红外
(VLWIR: 14 -30μm) 光谱区。
我司可提供室温型、热电制冷型、液氮制冷型碲镉汞探测器及相关前置放大应用的解决方案。