铟镓砷探测器
三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在最终用户所要求的波长条件下达到最大值，从而提高信噪比。
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三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分，可以使光电探测器的响应度在最终用户所要求的波长条件下达到最大值，从而提高信噪比。
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