硅光电探测器的本质是一个反向偏置的半导体二极管，PIN 硅二极管是在重掺杂的P 区和N 区之间夹有一层叫做本征体（i 层）的半导体。当PN 结收到光照射时，光子和半导体晶格原子相互作用，当入射光子能量E=hv 超过硅材料的禁带宽度E0，就在耗尽区中或离耗尽层边沿一个扩散长度内产生电子--空穴对。这种电子--空穴对被外加电场拉开，电子向N 区漂移，空穴向P 区漂移，当载流子的移动通过耗尽层时，在外电路形成光电流。

硅光电探测器是光电器件重要的的组成部分，是可见光和近红外波段主要的探测器。硅的探测器的工作波长在0.3-1.0 微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备中。